应9999js金沙老品牌邀请，日本东北大学大野英男教授5月19日为学院师生作了题为“Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics”的精彩学术报告。重点介绍他们在半导体自旋相关现象物理，磁阻率>600%的MgO基TMR器件及其集成等方面所取得的领先成果，对我院所取得的研究结果给予高度评价。

大野教授毕业于日本东京大学，留学美国康奈尔大学。现任日本东北大学电气通讯研究所，自旋电子集成系统中心主任，纳电子与自旋电子实验室教授。为英国物理学会(IOP) Fellow，日本应用物理学会(JSAP) Fellow，中科院半导体所名誉教授。发表论文350余篇，包括《Nature》和《Science》系列14篇，《Phy. Rev. Lett.》16篇，被SCI它引超过2万次，其中超过2千次4篇，5百次以上6篇，在国际学术会议大会邀请报告60余次。

大野教授从事半导体中自旋相关现象的物理和应用，金属基纳米结构等方面的研究。涵盖了从基础物理，材料科学到自旋电子器件与CMOS VLSIs等领域。由于他在铁磁半导体GaMnAs研究方面开创性的工作，被国际学术界誉为“铁磁半导体之父”。获得IBM日本科学奖(1998)，国际纯粹与应用物理联合会磁学奖(IUPAP 2003)，日本国家学士院奖(2005)，安捷伦欧洲物理奖(2005)，东北大学Presidential Prize for Research Excellence(2005)等。东北大学杰出教授(Distinguished Professor，2008)。IEEE磁学学会Distinguished Lecturer(2009)。